EUV

포토공정

- PR 즉, 감광액에 현상을 진행

- 감광액은 빛에 의해 그 성질이 바뀌며 이에 따라 두 종류로 나눌 수 있음

( Positive PR / Negative PR )

- 빛을 이용하기 때문에 빞의 성질에 의해 발생하는 여러가지 한계점이 있음

회절과 간섭에 의한 왜곡

마스크를 지나면서 그림처럼 회절과 간섭 현상이 발생해 원하는 모양이 제대로 새겨지지 않는 것

=> 해결방안) 사용하는 빛의 파장을 줄여야 함

EUV (Extreme Ultra Violet)

- 레이저를 떨어지는 주석(Sn)에 정확하게 맞춰 플라즈마를 만들고, 그 플라즈마에 의해 생산된 빛을 거울로 모은 것

- 빛의 파장이 짧아 직진성이 강하지만, 렌즈를 통과할 때 빛이 흡수되어버리는 흡수율도 상대적으로 높음

그렇기에 이전과 같이 렌즈를 사용하면, 최종 목적지에 도달하는 빛의 에너지가 적어지게 되는 문제가 발생

=> 해결방안) 렌즈보다 흡수율이 상대적으로 낮은 거울 즉, 반사를 이용

마스크도 반사를 사용하도록 제작

EUV 설비는
플라즈마를 이용해 EUV 빛을 만들고, 그 빛을 마스크에 반사시키고 초점을 맞춰가며 여러 번 반사시켜 패턴의 크기를 줄인 다음, wafer 위에 원하는 사이즈로 현상시키는 것!

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