반도체 공정 (22) 썸네일형 리스트형 plasma(4) Paschen's law- 플라즈마 방전을 일으키는 데 있어 전압, 압력, 전극의 재료에 따른 상관성을 정의하여 방전을 위한 최적의 조건 나타냄=> DC 방전의 항복 전압(VB) ∝ 방전관 내부 기체의 압력(p) ∝전극 간격(d)- 그래프 => 대부분의 가스의 경우 최소 항복 전압은 100~500V이며, 10^-1 ~ 10 Torr cm 범위의 pd에서 발생1 Torr에서 전기장의 일반적인 값은 10-100V cm^-1 1) p(↓) x d(-)전극 간격(d)가 일정하다고 가정할 때, 기체 원자의 주입량이 적어 기체 압력(p)가 감소하게 됨-> 자유 전자와 충돌할 확률이 작아지기 때문에, 이온화가 어려워짐-> 전자를 더 빠르.. plasma(3) 4. plamsa temperature- 열역학적 평형은 다음 방정식을 만족하는 경우에만 플라즈마에 존재- 전체 플라즈마에서 완전한 열역학적 평형을 이룰 수 없음(∵ 플라즈마 외피에서의 복사 온도 Tr이 플라즈마 벌크의 온도와 같을 수 없기 때문)non-LTE(Local thermodynamic equilibrium) plasma- "전자 온도"가 non-LTE plasma에서 가장 중요한 온도(∵직류 글로우 방전 또는 RF 여기로 생성되는 저압 플라즈마는 무거운 입자의 온도가 너무 작아 열역학적 평형 상태에서 화학 반응을 촉진하기 어렵기 때문에)- 플라즈마 공정의 전반적인 효율과 처리 속도는 전자의 분율(plamsa density)과 전자 온도(전자가 가진 E)에 의해 결정Druyvesteyn dist.. plasma(2) 1. Plama density- Density of the neutral particles, nn- Density of the electrons and ions (ne and ni)=> plasam의 quasi-neutral 상태에서, 전자와 이온의 밀도는 동일(ne = ni = n)그리고, n는 "plasma density"라고 불림 - 공정의 효율성과 반응 속도는 일반적으로 하전 입자의 밀도에 직접적으로 의존 2. energy transfer- 전자는 외부 전기장에서 방전 가스로 에너지를 전달하는 주요 요인(전자는 가장 쉽게 가속되고 외부 장에서 가장 많은 양의 에너지를 흡수)- 그런 다음 전자는 충돌 에너지를 통해 가스 분자로 이동하여 이온화 및 해리를 유발충돌의 종류1) 탄성 충돌- 전자와 무거운.. plasma(1) 플라즈마란? - 이온과 분자의 기체 혼합물(1928년 Irving Langmuir에 의해 명명됨)- 물질의 네 번째 상태- 전기적으로 중성을 갖는 일반적인 기체 분자가 전기 에너지 혹은 열에너지를 받아 이온과 전자로 분리되어 있는 상태=> 외부에 고에너지가 인가되면 원자들 간의 충돌로 인해 수많은 전자들이 원자핵의 구속으로부터 벗어나게 되면서 플라즈마를 구성하는 여러 입자들의 집합체를 이루는 상태- 집단적 행동을 하는 하전 입자와 중성 입자로 이루어진 준중성 기체가 특징플라즈마에서 "집단적 행동"이란?일반 중성 기체플라즈마일반 중성 기체(기체 분자 사이에 힘이 없음)-> 입자가 직선으로 이동-> 분자의 움직임은 분자 자체와 용기 벽과의 충돌에 의해 제어-> 중성 기체의 분자는 무작위 "BROWNIAN M.. package 공정 (1) 반도체 PKG 기술- 능동 소자(반도체 칩)와 수동 소자(저항, 콘덴서 등)를 포함하는 하드웨어 시스템에 관련된 기술 - 일반적으로 '1차 레벨 패키지'를 의미 - chip의 fine pitch I/O pad를 handling이 가능한 sub-mm scale의 pitch로 변환(IC와 기타 구성 요소를 연결해주는 bridge 역할)- 목적 및 환경에 따라 다양한 종류의 packaging 존재 기본 구조 (based on fBGA) 1) substrate (PCB기판)2) tape or epoxychip을 substrate에 접착3) gold wireI/O pad와 substrate와 연결4) solder ballPKG와 PCB 기판을 연결하여 전기적 신호를 전달5) EMC(Epoxy Molding Co.. Test (4) test와 머신러닝인공지능컴퓨터가 사람처럼 인지하고, 판단하게 만드는 기술머신러닝데이터를 활용하여 컴퓨터를 인간처럼 학습시켜 스스로 규칙을 형성하도록 만드는 알고리즘딥러닝인공신경망을 활용한 비선형 변환 기법의 조합으로 높은 수준의 추상화를 시도하는 기계학습 알고리즘=> 인공지능 > 머신러닝 > 딥러닝 반도체의 big data=> 다양한 parameter / 다양한 legend / 많은 계측으로 인한 big data-> 인공지능 기술 중 하나인 머신러닝을 사용하여 의미있게 분석-> 분석된 data를 바탕으로 예측 가능 traditional programming vs machine learning1) traditional programming2) machine learning=> M/L이 하는 작업은 inp.. Test (3) tester 구성1) tester- 제품에서 발생가능한 모든 불량 시나리오를 test item화하여, 기능 상에 제품에 문제가 없는지를 평가하는 장비- 제품의 전기적인 특성 및 정상 동작 이상 유무 검증- 제품의 동작 속도 구분, performance 검증2) Auto-Handler- 자동화 대량 생산을 위해 제품을 test가능한 위치까지 이송하고, test가 가능하도록 contact하는 장치- 제품에서 요구하는 온도 조건을 맞춰 인가할 수 있고, test가 완료된 이후 결과에 따라 decive의 양품, 불량품을 선별하는 장3) Hi-Fix (high fidelity tester access fixture)- test와 handler(device)를 전기적으로 연결하는 장치 (interface 역할)- .. Test (2) wafer test1) WFBIwafer에 stress(전압/고온)을 인가하여 초기 불량 유도2) PT1H/X(Wafer test / EDS) 전기적 신호를 인가하여 각각의 cell을 검사3) QCwafer의 visual 불량 발생 유무 검사Wafer Burn In- 초기 불량 단계인 1년의 시간을 WFBI 과정을 통해 가속화하여 test- 과거 ) package B/I-> 현재 ) wafer B/I(∵ external bias를 통해 동시 접근 cell의 수를 늘릴 수 있고, B/I 시간을 수십 시간에서 수십 초로 줄일 수 있음)wafer test system의 구성 probe card ) prober 내에서 Hi-fix Board와 Device를 연결해 주는 매개 장치 package testTDBI.. 이전 1 2 3 다음
