Test (2)

• wafer test

1) WFBI

wafer에 stress(전압/고온)을 인가하여 초기 불량 유도

2) PT1H/X(Wafer test / EDS)

전기적 신호를 인가하여 각각의 cell을 검사

3) QC

wafer의 visual 불량 발생 유무 검사

• Wafer Burn In

bathtub curve

- 초기 불량 단계인 1년의 시간을 WFBI 과정을 통해 가속화하여 test

- 과거 ) package B/I

-> 현재 ) wafer B/I

(∵ external bias를 통해 동시 접근 cell의 수를 늘릴 수 있고, B/I 시간을 수십 시간에서 수십 초로 줄일 수 있음)

• wafer test system의 구성

probe card ) prober 내에서 Hi-fix Board와 Device를 연결해 주는 매개 장치

 

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• package test

• TDBI(Test During B/I)

- 반도체 제품(device)의 초기 불량 제거 및 잠재적인 결함을 제거하기 위해 stress를 가하는 공정으로 제품의 신뢰성을 확보하는 공정

- WFBI과 TDBI는 초기 불량 제어의 목적은 동일하나, TDBI는 WDBI과는 달리, 1공정에서 stress 및 screen을 동시에 진행함

- stress 강도는 보통 WFBI보다는 약하게 인가

 

1) loading

- package 공정의 조립성 불량을 빠르게 detect 하기 위해 운영

- BIB(Burn In Board) Loading을 위한 공정으로 DC Test를 진행하여 Pass/Fail에 따라 구분하여 pass된 device는 burn in을 위해 BIB에 이동시키는 공정

2) unloading

- B/I 진행 후 도출된 data별로 sorter 장비를 이용하여 BIB에서 Tray로 이동시키는 공정

• PDA(Percentage  Defect Allowance)

- Burn In Stress의 적정성 여부를 판단하기 위한 Lot별 판단 기준

- PDA(%) = [ (B/I후 Fail SAMPLE 수 - B/I전 Fail SAMPLE 수) / Total Input 수량 ] x 100 BIB(Burn In Board) 

• BIB(Burn In Board)

 - 고온/저온의 일정한 온도가 유지되는 chamber내에서 device를 장착하여 악조건 하에서 전압과 signal 등을 공급하여 작동시켜 불량 device를 check해내기 위한 interface board

- B/I chamber에서 장시간 사용되기 때문에 내열성과 내구성을 갖추어야 함

 

• cold TDBI

- hot + cold 가 동시에 가능한 TDBI (최근 개발)

- cold temp.에서 DC test를 제외한 function test 진행 공정

- hot TDBI 장비 대비 동작 속도 및 채널 수 증가, 저렴한 test 환경 제공