본문 바로가기

반도체 공정

CMOS process flow_Salicide

 

Salicide (Self Aligned Silicide)
- 금속과 Si을 반응시켜 합금을 만드는 공정
- 목적) 금속을 연결할 때, 전류는 Si을 따라서 흐름
but, Si의 저항이 금속보다 크기 때문에 전압 loss가 발생할 수 있음
-> Salicide 공정을 통해 합금을 만들어서 전압 loss 최소화

 

(6) Salicide

 

1) Pre-metal clenaing

- BHF dip

=> 산화막이 있으면 안되기 때문에 불산에 담금

2) Ti(or Ni) deposition

- PVD(Sputtering)

3) 1st silicidation (열처리)

- 650도, 30sec

4) Un-reacted Ti strip

- SPM, 80도

5) 2nd silicidation (열처리)

- 850도, 30sec

∴ Ti + Si -> TiSi2 (검은 부분)