CMOS process flow_gate stack deposition and patterning

(3) gate stack deposition and patterning

1.

1) Buffer oxide strip

=> channeling 방지를 위한 oxide 제거

(∵ gate oxide는 퀄리티가 매우 좋아야하기 때문)

 

2. 

1) Pre-furnace cleaning

- SPM, SC1, SC2, DHF

2) Gate oxisation

- thermal oxidation

- thickness : ~50Å

3) Poly-Si deposition

- LPCVD

- thickness : ~2500Å

- 목적) gate 전극 형성을 위해

- doping (고농도)

 

3. 

1) Photolithography

 

4. 

1) Poly-Si etching

- Dry etching (an-isotropic RIE)

- end-point monitoring이 필요

=> 정확하게 식각이 되었는지 확인하기 위

2) PR strip

 

과거	현재
SiO2 + poly-Si	high-k + metal gate (HKMG)