CMOS Process Flow

CMOS
- 상호 보완하며 움직이는 n-MOSFET과 P-MOSFET 두 종류의 스위치로 논리 연산하는 회로를 구성하는 것
- 항공 매핑, 전문 디지털 사진, 과학 및 우주 연결, 의료 장비 및 기기 등

 

<CMOS Invertor 제조 공정>

 

(1) isolation

소자와 소자 사이에 산화막을 통해 전기적 절연

LOCOS (Local Oxidation Silicon) vs STI (Shallow Trench Isolation)

• 공통점

Active 영역 외에 산화막을 넣음

• 차이점

• LOCUS

- thermal oxidation을 이용

- Si3N4가 없는 부분 - 산화막 성장 O

Si3N4가 있는 부분 - 산화막 성장 X

- SiO2 ; buffer layer

- 한계 ) 집적도가 낮을 때는 LOCUS로 인한 Bird’s beak(새 부리 형태로의 변형)가 문제되지 않았지만, 밀집도가 높아지면 Bird’s beak이 미세화의 걸림돌이 됨

bird's beak
- Si3N4아래로 SiO2가 들어가는 현상

=> 'active 영역'과 '비active 영역' 사이에 경계가 명확하지 않게 됨

-> 해결방안 ) STI (Shallow Trench Isolation)

 

(2) well formation

국부적인 기판을 만들어주는 단계

(3) gate stack deposition and patterning

gate모양을 만드는 단계

(4) LDD implatation

source/drain 형성

(5) Sidewall spacer, HDD implant, RTA

source/drain 형성

(6) Salicide

(7) ILD, contact hole

(8) Metal #1