본문 바로가기

반도체 공정

plasma(2)

<Plamsa parameter>

1. Plama density

- Density of the neutral particles, nn

- Density of the electrons and ions (ne and ni)

=> plasam의 quasi-neutral 상태에서, 전자와 이온의 밀도는 동일

(ne = ni = n)

그리고, n는 "plasma density"라고 불림 

- 공정의 효율성과 반응 속도는 일반적으로 하전 입자의 밀도에 직접적으로 의존

 

2. energy transfer

- 전자는 외부 전기장에서 방전 가스로 에너지를 전달하는 주요 요인
(전자는 가장 쉽게 가속되고 외부 장에서 가장 많은 양의 에너지를 흡수)
- 그런 다음 전자는 충돌 에너지를 통해 가스 분자로 이동하여 이온화 및 해리를 유발

  • 충돌의 종류

1) 탄성 충돌

- 전자와 무거운 입자와의 충돌

- 운동량 보존 o

 

2) 비탄성 충돌

- 운동량 보존 x

- 전자는 전기장에 의한 가속을 통해 에너지를 얻고, 플라즈마를 유지하며 중성 기체 분자와의 비탄성 충돌을 통해 그 에너지를 전달
- 에너지가 있는 전자와 플라즈마의 무거운 종 사이의 비탄성 충돌은 다원자인 경우 표적의 여기, 이온화 또는 해리 초래
- 두 입자 사이의 비탄성 충돌에서 전달된 에너지의 비율


- 전자는 거의 모든 에너지를 무거운 입자에 전달하여 에너지가 높은 플라즈마 종을 생성할

3. degree of ionization

- 플라즈마에서 하전 입자의 밀도를 정의하는 파라미터는 "기체의 이온화 정도"이며, 이는 기체 상에서 이온화된 입자의 비율을 지정


- 이온화 정도는 일반적으로 저압 방전에서 지속되는 플라즈마의 경우, 10^-6 ~ 10^-3
- 전기 방전이 추가 자기장에 의해 보조되고 제한되는 경우, 이온화 정도는 10^-2 이상의 값에 도달할 수 있음(예: ECR plasma)

'반도체 공정' 카테고리의 다른 글

plasma(4)  (1) 2024.10.04
plasma(3)  (0) 2024.09.30
plasma(1)  (0) 2024.08.26
package 공정 (1)  (0) 2024.07.08
Test (4)  (0) 2024.07.07