MOSFET ID-VD 특성 / ID-VG 특성

 

<MOSFET ID-VD 특성>

[ID 수식]

• n-FET

• p-FET

[Output특성]

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<MOSFET ID-VG 특성>

[Transfer 특성]

 

[Subthreshold 특성]

• subthreshold region

gate voltage가 threshold voltage보다 작은 전압이 가해지는 영역

• subthreshold swing

subthreshold region에서 drain current를 10배 향상시키기 위해 필요한 최소 gate 전압

=> subthreshold swing을 개선할 수 있는 방법

- gate oxide thickness 줄이기

- high-K 소재의 절연막 사용

- channal doping 낮추기

- Dit 낮추기

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