전체 글 (44) 썸네일형 리스트형 CMOS Process Flow CMOS- 상호 보완하며 움직이는 n-MOSFET과 P-MOSFET 두 종류의 스위치로 논리 연산하는 회로를 구성하는 것- 항공 매핑, 전문 디지털 사진, 과학 및 우주 연결, 의료 장비 및 기기 등 (1) isolation소자와 소자 사이에 산화막을 통해 전기적 절연LOCOS (Local Oxidation Silicon) vs STI (Shallow Trench Isolation)공통점Active 영역 외에 산화막을 넣음차이점LOCUS- thermal oxidation을 이용- Si3N4가 없는 부분 - 산화막 성장 O Si3N4가 있는 부분 - 산화막 성장 X- SiO2 ; buffer layer- 한계 ) 집적도가 낮을 때는 LOCUS로 인한 Bird’s beak(새 부리 형태로의 변형)가 문제되.. DRAM 구조 Wafer : Single Crystalline Sichip- 웨이퍼 위 전자 회로가 새겨진 얇고 작은 조각으로, IC 칩이 되는 부분scribe lane- chip 사이의 경계로, 아무 전자 회로가 없는 부분- 웨이퍼를 개개의 칩으로 나누기 위한 분리 경계선flat zone- 웨이퍼의 구조를 판별하기 위해 웨이퍼의 한 부분을 평평하게 만드는 것 (∵ 웨이퍼의 결정 구조는 눈으로 식별이 불가능하기 때문)shot- shot 단위로 웨이퍼의 구획을 나눔(∵ shot 단위로 불량이 발생하는 경우 많음)- 웨이퍼의 가장자리 shot에서 불량률이 높음 (∵ 이 부분에서 공정 중 stress가 발생할 가능성이 크기 때문)[2D]주변 회로(peripheral)- 칩의 동작을 위해 필요한 회로를 통칭- 칩 중앙부를 제.. 메모리 반도체 vs 시스템 반도체 반도체 메모리 반도체시스템 반도체목적스위칭, 정보 저장정보 처리생산 방삭소품종 대량 생산다품종 소량 생산특징1순위. 가격2순위. 성능1순위. 성능2순위. 가격대표 기업삼성, Sk 하이닉스, 마이크론TSMC, 삼성, 인텔제품D램, NANDCPU, AP 메모리 반도체DRAM휘발성캐패시터가 MOS Transistor과 분리되어 있어 집적도는 떨어짐스위칭 속도는 매우 빠름Gate 단자가 1개 1T1C구조 (Tr : 스위칭 역할 / C : 데이터 저장)⇒ C가 길어야 함 (C식에서 ‘A’부분을 증가시키기 위해)2D ⥇ 3D⇒ 1T1C구조에서 가로(Vertical)로 C가 길게! ⇒ 2T1C구조 2. Nand Flash비휘발성 → 데이터 저장 기능 우수Floating gate의 기여로 집적도는 매우 높음Floati.. Cleaning 세정 공정 - wafer 표면에 부착된 미세입자나 유기오염물, 금속 불순물을 제거하여 이로인한 불량이 생기지 않도록 방지하는 기술 습식 세정 기술 - 반도체 공정 중 다양한 공정 전후에 DI수를 사용하여 입자와 오염 물질을 제거하고 웨이퍼의 산화막(특히 '네이티브 산화물'의 경우)을 벗겨내는 일련의 공정 - 더 높은 집적 밀도 및 프로세스 단계 증가에 따라 중요성 증가 1) Particles 2) Metal 3) Organic 4) Native Oxide 1) Batch(Immersion) Type wet chemical을 통에 두고, wafer을 담궈서 목적을 이룸 => 공정 시간이 김 (여러 장의 wafer을 한번에 처리하기 때문) / throughpu.. Photolithography 1) Spin coating Spin coating은 원판을 빠른 속도로 회전시켜, 판 위의 PR(Photo resist)에 원심력을 부여하여 표면에 균일한 코팅층을 형성하는 공정 방식이다. FIG. 1은 실험에서 사용한 Spin coater 장비이다. 진공을 이용하여 기판의 아랫 부분을 단단히 고정한 후 스포이드를 사용하여 PR를 도포하였다 그리고, 뚜껑을 닫은 뒤 5초동안 500rpm으로 원판을 회전시킨 후, 25초 동안 4000rpm으로 높여가며 PR을 기판 위에 얇게 도포한다. 처음부터 고속의 회전 속도를 사용하면 PR이 웨이퍼에서 벗어날 수 있기에 초기에는 느린 속도로 진행하였다. Fig.2 는 spin coating이 완료된.. 진공 진공의 특성 - 물질이 전혀 존재하지 않는 공간 - 1atm = 760mmHg = 760Torr - 저진공 고압 고진공 저압 이상 기체 방정식 - PV = nRT (P : 압력, V : 부피, n : 기체의 몰수, R : 이상기체 상수, T : 절대온도) => '진공'의 경우, 기체 분자가 충분히 희박하여 이상 기체 방정식으로 설명 가능 - 진공의 '압력(P)'은 chamber안에 있는 '기체의 몰수(n)'에 비례 -> chamber의 압력을 낮추려면, 진공 pump를 사용해서 chamber 안에 있는 기체 분자를 외부로 배출시켜야 함 -> 진공 상태가 됨 진공 시스템 1) 진공 chamber 진공을 생성 및 유지하고 wafer애 원하는 공정을 진행하는 공간 2) 진공 pump 진공 chamber의 기체.. 고체의 결정 구조 원소 반도체 한가지 원소로 구성된 반도체 (4족 원소) 화합물 반도체 두가지 이상의 원소로 구성된 반도체 (3-5족, 2-6족) 결정 종류 단결정 다결정 비정질 결정 형태 - 전체 부피에서 원자들이 일정한 규칙으로 배열 - 완전한 결정 상태 - 다른 규칙을 갖는 단결정 영역들이 모여 전체 부피를 구성 - 단결정 영역을 grain과 grain boundary로 구성 - 결정성이 없는 고체 전기적 특성 높음 중간 (grain boundary에서 전기적 특성 저하) 낮음 균일성 높음 낮음 높음 (원자수준의 무질서로 인해 소자 크기에서는 균일) 제작 공정 성장 증착 증착 면적 당 가격 높음 중간 낮음 소자 당 가격 낮음 높음 중간 응용 CPU, 메모리 등의 고성능 IC-chip 저면적, 고성능 디스플레이 (모바.. 반도체 용어 이전 1 2 3 4 5 6 다음
